援引韓媒Naver報(bào)道，星攜三星已經(jīng)與美國的手美善納SiliconFrontlineTechnology公司合作，以提高其半導(dǎo)體芯片在生產(chǎn)過程中的米良北京包夜外圍上門外圍女姐（微信199-7144=9724）一二線城市均可安排、高端一手資源、高質(zhì)量外圍女模特空姐、學(xué)生妹應(yīng)有盡有良率，以便于在3納米工藝上趕超臺(tái)積電。率希 報(bào)道中稱，望趕三星電子先進(jìn)制程良率非常低，超臺(tái)自5納米制程開始一直存在良率問題，積電在4納米和3納米工藝上情況變得更加糟糕。星攜據(jù)傳三星3納米解決方案制程自量產(chǎn)以來，手美善納良率不超過20%，米良北京包夜外圍上門外圍女姐（微信199-7144=9724）一二線城市均可安排、高端一手資源、高質(zhì)量外圍女模特空姐、學(xué)生妹應(yīng)有盡有量產(chǎn)進(jìn)度陷入瓶頸。率希 三星目前在4納米和5納米工藝節(jié)點(diǎn)上出現(xiàn)了與產(chǎn)量有關(guān)的望趕問題，該公司不希望這個(gè)問題再次出現(xiàn)在3納米工藝上。超臺(tái)因此希望通過和SiliconFrontlineTechnology公司合作，積電幫助三星晶圓廠進(jìn)行前端（front-end）工藝和芯片性能改進(jìn)。星攜 IT之家了解到，這家美國公司提供芯片鑒定評(píng)估和ESD（靜電放電）預(yù)防技術(shù)。ESD是造成半導(dǎo)體芯片缺陷的主要原因之一，是由制造過程中設(shè)備和金屬之間的摩擦造成的。據(jù)報(bào)道，三星在芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程中已經(jīng)與SiliconFrontline公司合作了很長時(shí)間，并取得了令人滿意的結(jié)果。該公司現(xiàn)在將在芯片驗(yàn)證過程中使用該公司的技術(shù)。 |